买卖IC网 >> 产品目录 >> SIHU7N60E-E3 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIHU7N60E-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 600 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 600 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 IPAK (TO-251)
封装
相关资料
属性
链接
代理商 SIHU7N60E-E3
SIHU7N60E-GE3
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公司名
电话
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深圳市深创盛科技有限公司 0755-82771301 黄小姐.朱先生.寒小姐
深圳市华雄半导体（集团）有限公司 17623594308 苗凤军
深圳市柏新电子科技有限公司 0755-88377780 林小姐//方先生
  • SIHU7N60E-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价